DMTH62M8LPS-13

DMTH62M8LPS-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件在结构上针对低导通损耗和高功率密度进行了优化，其核心在于实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与高电流处理能力的平衡。在10V栅极驱动电压、50A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为2.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率，特别适合在有限空间内处理大功率的应用。

该MOSFET的功能特性围绕其稳健的电气性能展开。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，提供了足够的电压裕度，适用于常见的48V或更低电压的工业与汽车系统。器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值高达100A，展现了强大的电流承载能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，并与4.5V/10V的驱动电压配合，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性，同时有助于防止误触发。此外，高达175°C的结温（TJ）工作范围赋予了其出色的高温运行可靠性，满足严苛环境的要求。

在接口与关键参数方面，DIODES一级代理提供的详细规格显示，其栅极电荷（Qg）在10V时为96.3nC，输入电容（Ciss）在30V时为4515pF，这些参数共同决定了开关动态性能，有助于设计者在开关速度与开关损耗之间做出权衡。±20V的最大栅源电压（Vgs）提供了较强的栅极抗过压能力。其表面贴装（SMT）的PowerDI5060-8封装不仅优化了散热性能，最大功率耗散为3.13W，而且有利于实现自动化生产，减少PCB占板面积。

基于其高电流、低导通电阻和紧凑封装的特点，DMTH62M8LPS-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制（如电动工具、无人机）、电池管理系统（BMS）中的保护与充放电控制电路，以及汽车电子中的各种功率分配与驱动模块。在这些应用中，它能够有效降低系统热耗散，提升功率密度和可靠性。

• 型号:DMTH62M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.13W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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