DMTH69M8LFVW-13

DMTH69M8LFVW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI3333-8（SWP）UX封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现低导通损耗与高效率开关性能的平衡。其紧凑的PowerDI3333-8封装不仅提供了卓越的散热能力，还显著减小了PCB占板面积，这对于空间受限的现代电子设备至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达28A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在中等功率应用中的高可靠性。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和13.5A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33.5nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使得开关频率可以更高，从而支持更小型化的磁性元件设计。

在电气接口与参数方面，DMTH69M8LFVW-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，最大可承受±16V的栅源电压，提供了良好的设计灵活性和鲁棒性。其导通阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，具备良好的噪声抑制能力。器件的工作结温范围极宽，从-55°C到175°C，使其能够适应严苛的环境温度条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其优异的电气性能和坚固的封装，DMTH69M8LFVW-13非常适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载点降压拓扑）、电机驱动控制（如无人机、电动工具中的有刷或无刷电机）、电池保护电路以及各类电源管理模块。其表面贴装型封装也完全兼容自动化回流焊工艺，适合大规模生产。

• 型号:DMTH69M8LFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28ns/198ns
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:LMR-1700
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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