DMTH8008SPS-13

DMTH8008SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压(Vdss)和高达92A的连续漏极电流(Id)能力，为负载提供坚实的功率处理基础。其导通电阻表现尤为突出，在10V驱动电压(Vgs)和14A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为7.8mΩ，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于减少热量积累并提高系统可靠性。栅极驱动特性经过精心调校，最大栅极阈值电压(Vgs(th))为4V，而栅极电荷(Qg)在10V条件下最大值为34nC，较低的Qg值有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，使其非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件支持±20V的最大栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕量。其输入电容(Ciss)在40V漏源电压下最大为1950pF。该MOSFET的散热性能卓越，在25°C壳温(Tc)下最大功率耗散可达100W，结合其-55°C至175°C的宽结温(TJ)工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，通过授权的DIODES一级代理进行采购，可以保障正品货源和稳定的供货支持。

基于其优异的电气性能和坚固的封装，DMTH8008SPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的DC-DC电源转换模块、电机驱动与控制电路、锂电池保护与充放电管理，以及各类工业电源和逆变器系统。其PowerDI5060-8封装提供了良好的散热性能和紧凑的占板面积，是空间受限的高性能电源设计的理想选择。

• 型号:DMTH8008SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 92A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):92A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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