DMTH8012LK3Q-13

Diodes Incorporated推出的DMTH8012LK3Q-13是一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，专为严苛的汽车电子环境设计。其核心架构优化了功率密度与开关性能，在紧凑的TO-252（D-Pak）封装内实现了高耐压与大电流处理能力的平衡，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在高温环境下的长期可靠性。

该器件具备出色的电气特性，其80V的漏源电压（Vdss）与50A的连续漏极电流（Tc条件下）使其能够胜任高功率负载的开关与控制任务。关键优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为16毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准的4.5V至10V驱动电压范围配合良好，易于驱动并有助于减少栅极驱动电路的复杂度。

在动态性能方面，DMTH8012LK3Q-13在10V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值控制在46.8nC，结合2051pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其±20V的最大栅源电压提供了稳健的栅极保护。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取原厂正品和技术支持。

凭借表面贴装型TO-252封装带来的良好散热特性和2.6W的功率耗散能力，该MOSFET非常适合空间受限的汽车应用。其主要应用场景包括但不限于：汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、DC-DC转换器中的主开关或同步整流，以及需要高效功率管理的电池保护电路。其AEC-Q101认证确保了其在汽车电子系统中满足高可靠性与长寿命的要求。

• 型号:DMTH8012LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2051 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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