DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，并封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件构建于成熟的平面工艺架构之上，旨在实现高电压与高电流处理能力之间的优化平衡，其核心设计侧重于降低导通损耗和提升开关效率，以满足现代功率电子系统对高功率密度和高效能的需求。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其80V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态条件下的可靠性。在导通特性方面，器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至17毫欧（@12A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，且最大栅源电压（Vgs）为±20V，确保了与标准逻辑电平及模拟驱动电路的稳定兼容。此外，栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC（@10V），结合1949pF的输入电容，共同决定了其快速的开关特性，有助于降低开关损耗并提升高频工作性能。

在接口与热性能参数上，DIODES中国代理提供的技术资料显示，该器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为10A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达72A，体现了其强大的电流处理潜力。其最大功耗在环境温度下为2.6W，在管壳温度下可达136W，这要求在实际应用中必须配合有效的散热设计，例如使用适当的PCB铜箔面积或外部散热器。器件采用表面贴装形式，便于自动化生产，其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛工业环境下的稳定运行。

基于其80V/10A的额定规格、低导通电阻和快速开关能力，DMTH8012LPS-13非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类电源适配器和工业电源中的功率开关部分。其PowerDI5060封装在提供优异热性能的同时，也节省了宝贵的电路板空间。

• 型号:DMTH8012LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH8012LPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。