DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装，专为要求高可靠性和高效率的汽车及工业应用而设计。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）的平衡，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能和热管理能力。

该MOSFET的突出特性在于其低至17毫欧（典型值@10V, 12A）的导通电阻，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其80V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，确保在负载突降等瞬态条件下稳定工作。同时，10V栅极驱动下的栅极电荷（Qg）仅为46.8nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，具有优异的热性能，其结壳热阻（RθJC）极低，使得在25°C壳温下连续漏极电流（Id）可达72A。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，同时在4.5V的低栅压下也能实现良好的导通特性，为低电压逻辑控制提供了便利。栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较强的抗栅极噪声能力。用户可通过DIODES授权代理获取完整的设计支持与样品。

凭借其高可靠性、高效率和小尺寸，DMTH8012LPSQ-13非常适用于汽车电子领域，如电动助力转向（EPS）、电机驱动、LED照明驱动以及DC-DC转换器。此外，在工业电源、电池管理系统（BMS）、负载开关和同步整流等应用中，其优异的电气参数也能显著提升功率密度和能源利用率，是工程师设计下一代高能效功率系统的理想选择。

• 型号:DMTH8012LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2051 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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