DMWSH120H28SM4

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• 型号:DMWSH120H28SM4
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28.5 毫欧 @ 50A，15V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3，6V @ 17，7mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:173.7 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:+19V，-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 1000 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:429W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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