MBR10100CS2TR-G1

MBR10100CS2TR-G1是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-263-3（DPak）封装的双肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极的集成架构，将两个独立的肖特基整流单元集成在单一封装内，这种设计不仅优化了PCB布局空间，还简化了电路连接，特别适用于需要紧凑布局和高效热管理的电源拓扑结构。

其核心基于肖特基势垒技术，实现了极低的正向压降，典型值仅为850mV @ 5A，这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，器件支持高达100V的最大直流反向电压，并具备快速恢复特性，反向恢复时间通常小于500纳秒，有效减少了开关过程中的反向恢复电流和相关的开关损耗，有助于降低电磁干扰并提升高频开关电源的稳定性。其反向漏电流在100V反向电压下典型值控制在100A，体现了良好的反向阻断特性。

在电气参数方面，该器件每个二极管的平均整流电流额定值为5A，最大结温可达150°C，结合TO-263封装优良的散热能力，确保了其在连续工作条件下的可靠性与耐久性。其表面贴装形式兼容自动化生产流程。对于需要稳定供货与技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障供应链与产品质量的重要途径。

这款肖特基二极管阵列主要面向对效率、尺寸和开关速度有较高要求的应用场景。它非常适合用作开关电源中的次级整流、DC-DC转换器的输出整流，或在高频逆变器、电机驱动电路中作为续流二极管。其快速恢复特性和低导通损耗使其成为提升现代电源系统功率密度和转换效率的关键元件之一。

• 型号:MBR10100CS2TR-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SCHOT 100V 5A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263
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