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MBR20100CDTR-G1

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MBR20100CDTR-G1技术参数详情:

MBR20100CDTR-G1是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装TO-252-3(DPak)封装的双肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置,将两个独立的肖特基整流二极管集成在单一紧凑封装内,这种架构不仅优化了PCB布局空间,还简化了电路设计,特别适用于需要双路整流或续流功能的同步整流拓扑。

该芯片的核心优势在于其肖特基势垒技术,实现了极低的正向压降,典型值仅为850mV @ 10A,这能显著降低导通状态下的功率损耗和热耗散,提升系统整体效率。其反向重复峰值电压高达100V,每二极管平均整流电流为10A,提供了宽裕的电压和电流裕量。作为一款快速恢复器件,其开关速度优异,反向恢复时间极短,这有效减少了开关过程中的电压尖峰和振荡,降低了电磁干扰(EMI),使其在高频开关应用中表现稳定可靠。

在电气参数方面,MBR20100CDTR-G1在100V反向电压下的典型反向漏电流仅为100A,展现了良好的反向阻断特性。其结工作温度范围宽达-65°C至150°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。紧凑的DPak表面贴装封装具有良好的热性能,便于通过PCB铜箔进行散热管理。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供应链服务。

这款器件非常适合应用于高效率电源转换领域,例如开关电源(SMPS)的次级侧整流、DC-DC转换器的输出整流、以及作为电机驱动电路或继电器线圈中的续流二极管。其快速恢复特性和低Vf使其成为对效率和开关噪声有严格要求的高频逆变器、太阳能微逆变器及汽车电子系统中同步整流方案的理想选择。

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