MBR30100CTF-G1

在功率转换和电源管理领域，MBR30100CTF-G1是一款采用TO-220F封装的高性能肖特基二极管阵列。该器件内部集成了一对采用共阴极配置的肖特基势垒二极管，这种架构特别适用于需要紧凑布局和简化布线的桥式或中心抽头整流电路。其核心优势在于利用金属-半导体结原理，相较于传统PN结整流器，能够实现极低的正向导通压降和近乎无载流子存储效应的快速开关特性。

该芯片的功能特点突出表现在其高效率与快速响应能力上。在高达15A的每二极管平均整流电流下，其正向压降仅为850mV，这显著降低了导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，它具备快速恢复特性，恢复时间通常小于500纳秒，这对于高频开关应用至关重要，能有效减少开关损耗并抑制电压尖峰。其反向耐压高达100V，且在100V反向电压下的漏电流典型值仅为100A，确保了在高压差下的可靠阻断与低功耗待机。

在电气参数与物理接口方面，MBR30100CTF-G1提供了宽泛的工作温度范围，结温可承受-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。其采用标准的通孔安装TO-220-3封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于通过散热片进行热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其高电流能力、低导通损耗和快速开关速度，MBR30100CTF-G1非常适合于各类高效率电源应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、DC-DC转换器、极性保护电路以及电机驱动和逆变器中的续流二极管。其共阴极配置使其成为同步整流或全波整流拓扑的理想选择，能够帮助设计工程师优化电源密度、提升效率并增强系统可靠性。

• 型号:MBR30100CTF-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220F-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SCHOT 100V 15A TO220F3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220F-3
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