MBR5200VPBTR-G1

MBR5200VPBTR-G1是Diodes Incorporated推出的一款高性能肖特基势垒整流二极管，采用成熟的DO-27轴向封装。该器件基于肖特基结原理构建，其核心在于金属与半导体之间的接触势垒，这种结构使其在正向导通时具有极低的压降特性。与传统的PN结整流二极管相比，肖特基二极管利用多数载流子导电，从根本上避免了少数载流子的存储效应，从而实现了卓越的开关速度。

该二极管最显著的优势在于其高达200V的反向重复峰值电压(VRRM)与5A的平均正向整流电流(IO)的平衡组合。在5A的额定电流下，其典型正向压降(VF)仅为950mV，这意味着在功率转换应用中能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其快速恢复特性（恢复时间≤500ns）使其能够胜任高频开关环境，有效减少开关过程中的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，这对于现代开关电源(SMPS)的设计至关重要。

在电气参数方面，除了优异的VF和VRRM，其在200V反向电压下的典型反向漏电流(IR)为500A，展现了良好的反向阻断能力。该器件采用通孔安装形式的DO-27（DO-201AA）轴向封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于在传统PCB板上进行可靠的焊接和安装。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计成熟、性能稳定，在特定领域和现有产品维护中仍有其价值，用户可通过可靠的DIODES一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。

得益于其高电压、大电流、低损耗和快速开关的综合特性，MBR5200VPBTR-G1非常适用于需要高效率整流的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流、DC-DC转换器、极性保护二极管以及自由轮续流二极管。尤其是在200V电压等级的离线式电源适配器、工业电源以及电机驱动电路的续流保护中，该器件能够有效提升功率密度和可靠性。

• 型号:MBR5200VPBTR-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-27
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):5A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向
• 供应商器件封装:DO-27
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
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