MMBD4448HTMQ-7-F

作为Diodes Incorporated推出的一款通用型二极管阵列，MMBD4448HTMQ-7-F在紧凑的SOT-26封装内集成了三个独立的PN结二极管。该器件采用标准硅工艺制造，每个二极管单元均具备独立的电气特性，这种架构设计为电路板布局提供了高度的灵活性，允许工程师将三个分立二极管的功能整合到单一器件中，从而有效节省PCB空间并简化物料清单管理。

该器件的核心性能体现在其快速开关特性与稳健的电气参数上。其反向恢复时间(trr)典型值仅为4纳秒，属于快速恢复二极管范畴，能够显著降低开关应用中的反向恢复损耗和由此产生的电磁干扰。在正向导通方面，当通过150mA电流时，其正向压降(Vf)典型值为1.25V，实现了导通损耗与开关速度的良好平衡。同时，高达80V的最大直流反向电压(Vr)和150mA的每二极管平均整流电流(Io)，确保了其在多种电压和电流条件下的可靠工作能力。

在接口与参数层面，MMBD4448HTMQ-7-F采用表面贴装型SOT-26封装，完全兼容自动化贴装生产线，适合高密度PCB设计。其反向漏电流在70V反向电压下典型值低至100nA，体现了优异的关断特性。宽泛的结温工作范围（-65°C至150°C）使其能够适应工业级和消费电子领域常见的严苛环境温度要求。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持。

基于上述特性，该器件非常适合应用于需要高速信号处理和多路信号整流的场景。典型应用包括高速开关电源中的次级侧整流、信号线路的瞬态电压抑制(钳位)、数字电路中的电平转换，以及作为通用逻辑电路中的高速开关元件。其多路独立二极管的结构也使其成为多通道信号隔离或保护电路的理想选择，在通信设备、计算机外围设备及便携式电子产品的设计中具有广泛的应用价值。

• 型号:MMBD4448HTMQ-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管配置:3 个独立式
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:80 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:250mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):4 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 70 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
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