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产品参考图片
MMBTH10Q-7-F 图片
MMBTH10Q-7-F
  • 制造厂商:Diodes(美台半导体)
  • 类别封装:晶体管 - 双极(BJT)- 射频,封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:RF TRANSISTOR SOT23
  • (专注销售Diodes电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营Diodes芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:MMBTH10Q-7-F
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:RF TRANSISTOR SOT23
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 射频
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压-集射极击穿(最大值):25V
  • 频率-跃迁:650MHz
  • 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
  • 增益:-
  • 功率-最大值:310mW
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 4mA,10V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):50mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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