MMBZ5258BS-7

MMBZ5258BS-7是Diodes Incorporated推出的一款采用SOT-363（SC-88）微型封装的双独立齐纳二极管阵列。该器件集成了两个完全独立的36V齐纳二极管于单一紧凑的封装内，其核心架构旨在为空间受限的现代电子设计提供高集成度的电压基准与保护解决方案。每个二极管单元均经过精密制造，确保了性能的一致性与可靠性，特别适合在需要多路电压箝位或基准的电路板上实现高密度的布局。

该器件的关键特性在于其精确的电压调节与出色的稳定性。标称齐纳电压（Vz）为36V，并具备±5%的严格容差，这为设计提供了精确的电压参考点。其最大功耗为200mW，在典型工作条件下能够提供足够的功率处理能力。同时，它表现出极低的反向漏电流，在27V反向电压下仅为100nA，这有助于降低待机功耗并提升系统效率。正向导通电压（Vf）在10mA电流下为900mV，展现了良好的正向特性。其动态阻抗（Zzt）最大值为70欧姆，确保了在负载变化时电压的稳定性。

在接口与参数方面，MMBZ5258BS-7采用标准的表面贴装技术（SMT），封装为6引脚的SOT-363，便于自动化贴装并节省宝贵的PCB空间。其宽泛的工作温度范围覆盖-65°C至150°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境要求。这种稳健的设计使其成为需要高可靠性应用的理想选择。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其双独立、高精度和微型化的特点，MMBZ5258BS-7广泛应用于便携式设备、通信模块、电源管理单元以及汽车电子系统中。典型应用场景包括作为数据线或I/O口的过压保护（ESD保护、浪涌抑制）、为低压差线性稳压器（LDO）或比较器提供稳定的电压基准，以及在多电压轨系统中实现精确的电压箝位。其小型化封装尤其适合智能手机、平板电脑、物联网传感器节点等对空间和能效有极致要求的领域。

• Diodes公司完整型号：MMBZ5258BS-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
• 系列：-
• 配置：2 个独立式
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：36V
• 容差：±5%
• 功率 - 最大值：200mW
• 阻抗（最大值）(Zzt)：70 欧姆
• 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：100nA @ 27V
• 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA
• 工作温度：-65°C ~ 150°C
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装：SOT-363
• 项目20：
• 项目21：
• 项目22：
• 项目23：
• 项目24：
• 项目25：
• ：
• ：
• ：
• ：
• 现在可以订购MMBZ5258BS-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。