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PD3Z284C13-7

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PD3Z284C13-7技术参数详情:

作为一款精密电压基准与保护元件,PD3Z284C13-7采用了先进的硅平面工艺技术,其核心是一个经过严格筛选和稳定处理的齐纳结。该器件在反向偏置下工作,利用齐纳击穿效应,能够在宽温度范围内提供高度稳定的13V基准电压。其内部结构经过优化,旨在实现低动态阻抗与出色的电压稳定性,这对于确保后续电路在输入电压或负载变化时仍能精确运行至关重要。

该齐纳二极管具备多项关键特性。其标称齐纳电压为13V,容差控制在±5%以内,为设计提供了可靠的精度保障。最大功耗为500mW,结合其紧凑的封装,提供了优异的功率密度。其动态阻抗(Zzt)最大值仅为10欧姆,这意味着在规定的测试电流下,电压随电流的变化非常小,稳压性能出色。同时,它在8V反向电压下的泄漏电流低至100nA,在100mA正向电流下的正向压降为1.1V,这些参数共同确保了器件的高效率与低功耗特性。

在接口与参数方面,该器件采用表面贴装形式,封装为PowerDI 323。这种封装不仅节省了宝贵的PCB空间,还具有良好的散热性能,有助于在满功率工作时维持芯片的稳定性。其工作温度范围极宽,覆盖-65°C至150°C,使其能够适应工业、汽车及各类严苛环境下的应用需求。对于需要可靠供应链的客户,可以通过官方授权的DIODES一级代理获取原装正品和技术支持。

基于其稳定的13V基准和强大的保护能力,PD3Z284C13-7非常适合用于电源管理电路中的过压保护钳位、电压基准源以及信号调理电路的稳压环节。常见应用场景包括开关电源的次级侧保护、便携式设备的电压调节、汽车电子模块的浪涌保护以及工业控制板的精密参考电压生成。其稳健的设计使其成为要求高可靠性和长期稳定性的系统中不可或缺的组件。

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