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PD3Z284C15-7

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PD3Z284C15-7技术参数详情:

PD3Z284C15-7是Diodes Incorporated推出的一款采用PowerDI 323封装、额定功率为500mW的单路齐纳二极管。该器件基于平面硅工艺制造,其核心设计旨在提供精确且稳定的电压箝位功能。其PN结经过优化,能够在宽温度范围内(-65°C至150°C)维持稳定的齐纳击穿特性,这对于确保电路在各种环境条件下的可靠性至关重要。

该器件的一个关键特性是其15V的标称齐纳电压(Vz)并具备±5%的容差,这为设计提供了良好的电压基准精度。其最大齐纳阻抗(Zzt)为15欧姆,意味着在击穿区工作时具有相对较低的动态电阻,有助于改善负载调整率并减少电压波动。在反向泄漏方面,当反向电压(Vr)为10.5V时,其泄漏电流典型值仅为100nA,体现了出色的关断特性。正向导通时,在100mA电流(If)下,其正向压降(Vf)为1.1V,这一参数对于评估其在瞬态保护或偶尔正向偏置应用中的表现有参考价值。

PD3Z284C15-7采用表面贴装型PowerDI 323封装,该封装具有紧凑的占板面积和良好的热性能,有助于将500mW的最大功耗有效地耗散到PCB上,适合高密度板级设计。其稳健的构造使其能够承受一定程度的功率应力,适用于需要空间效率和可靠性的场合。

在应用层面,这款齐纳二极管非常适合用于电压调节、过压保护以及作为电压参考源。常见场景包括为微控制器、传感器或其他IC的电源引脚提供箝位保护,防止因电压瞬变或静电放电(ESD)事件造成的损坏。它也常被用于开关电源(SMPS)的次级侧,以稳定输出电压或保护负载。对于需要稳定15V基准或保护阈值的工业控制、消费电子及通信模块,PD3Z284C15-7是一个经过验证的解决方案。在采购此类关键元器件时,通过可靠的DIODES芯片代理渠道可以确保获得正品并得到及时的技术与供货支持。

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