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PD3Z284C24-7

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PD3Z284C24-7技术参数详情:

PD3Z284C24-7是Diodes Incorporated推出的一款采用PowerDI 323封装的高可靠性表面贴装齐纳二极管。该器件基于成熟的平面硅工艺制造,其核心设计旨在提供精确且稳定的电压箝位功能。其PN结经过优化,能够在宽温范围内维持稳定的齐纳击穿特性,确保在反向偏置条件下,当电压达到标称的24V时,器件进入可控的击穿区,从而将两端电压箝位在设定值附近,为后级电路提供有效的过压保护。

该器件具备多项突出的功能特性。其标称齐纳电压为24V,并提供了±6%的容差,这为设计工程师在需要精确电压参考或保护的电路中提供了足够的精度保障。最大500mW的功耗能力使其能够处理适中的瞬态功率,而最大30欧姆的动态阻抗(Zzt)则意味着在击穿区工作时,电压随电流的变化相对平缓,稳压性能良好。在反向泄漏方面,于16.8V电压下仅100nA的典型值,展现了其优异的高阻态特性,有助于降低待机功耗。正向导通时,在100mA电流下压降仅为1.1V,具备一定的整流或正向保护能力。其工作温度范围覆盖-65°C至150°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数层面,PD3Z284C24-7采用表面贴装技术,兼容自动化贴片生产,其PowerDI 323封装具有优异的热性能,有助于将芯片产生的热量高效散发至PCB。对于需要稳定供应链的客户,可以通过正规的DIODES授权代理渠道获取该产品及相关技术支持。尽管该产品状态标注为“停产”,但在许多现有设备维护或特定长生命周期产品设计中,它仍然是一个值得考虑的选择。

基于其技术参数,PD3Z284C24-7非常适合应用于需要24V左右电压保护的场景。典型应用包括消费电子、工业控制设备及汽车电子子系统中的电源轨保护,防止因浪涌或感应电压导致的损坏。它也可用作低精度电压基准源,或与其它电路配合构成简单的稳压电路。其宽温特性尤其适合对可靠性要求较高的环境,如传感器接口保护、通信模块的I/O端口防护等。

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