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PD3Z284C2V4-7

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PD3Z284C2V4-7技术参数详情:

PD3Z284C2V4-7是Diodes Incorporated推出的一款采用PowerDI 323封装的表面贴装齐纳二极管。该器件基于成熟的平面硅技术构建,其核心是一个经过精确掺杂和钝化处理的PN结,旨在提供稳定的反向击穿电压特性。其内部架构经过优化,以实现低动态阻抗和良好的热稳定性,确保在规定的功率和温度范围内维持精确的电压基准功能。

该器件的主要功能是提供2.4V的标称齐纳电压(Vz),并具备±8.33%的电压容差,为低压电路中的电压箝位、稳压和瞬态保护提供了可靠的解决方案。其最大功耗为500mW,结合紧凑的PowerDI 323封装,使其在有限的PCB空间内也能有效处理适中的功率耗散。其动态阻抗特性也较为突出,在齐纳测试电流下的最大阻抗(Zzt)为100 Ohms,这有助于在负载变化时维持更稳定的输出电压。

在电气参数方面,DIODES授权代理提供的规格书详细定义了其性能边界。其反向漏电流在1V反向电压(VR)下典型值为50A,体现了良好的反向阻断特性。正向导通电压(Vf)在100mA正向电流(If)下约为1.1V,这与标准硅二极管的特性一致。器件的工作结温范围覆盖-65°C至150°C,能够适应严苛的工业环境要求。表面贴装的安装方式与PowerDI 323封装相结合,优化了散热性能并适用于自动化贴片生产。

基于其稳定的2.4V基准电压和紧凑高效的封装,PD3Z284C2V4-7非常适合应用于需要低压精密参考源的场合。典型应用包括便携式电子设备中的低压差线性稳压器(LDO)的参考电压源、电池供电设备的电压检测与保护电路、以及各类数字逻辑电路中的电平箝位与瞬态电压抑制(ESD保护)。尽管其零件状态已标注为停产,但在既有产品维护或特定设计需求中,它仍是一个经过验证的解决方案。

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