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PD3Z284C39-7

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PD3Z284C39-7技术参数详情:

PD3Z284C39-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进硅平面工艺制造的表面贴装齐纳二极管。其核心架构基于精确的掺杂和钝化技术,确保了在-65°C至150°C的宽工作温度范围内,齐纳击穿电压具有出色的稳定性和可重复性。该器件采用紧凑的PowerDI 323封装,专为优化PCB空间和提升散热性能而设计,其小型化封装并未牺牲电气性能,反而通过优化的内部结构实现了高效的功率处理能力。

该器件提供39V的标称齐纳电压,容差为±5%,确保了在电压参考和钳位应用中的精确性。其最大功率耗散为500mW,结合较低的动态阻抗(最大值75 Ohms),使其在负载变化时能有效维持稳定的电压。在反向特性方面,其在27.3V反向电压下的典型反向泄漏电流仅为100nA,表现出优异的关断特性。正向特性上,在100mA正向电流下的典型正向压降为1.1V,兼顾了单向导通与电压调节功能。这些参数共同构成了其高可靠性、高精度的核心功能特点。

在接口与参数层面,其表面贴装形式兼容自动化贴片生产,便于集成到高密度电路板中。其稳健的电气参数,如宽温工作范围、精确的Vz容差以及低泄漏电流,使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定、可靠电压基准或瞬态保护的电路设计,DIODES授权代理可提供完整的技术支持和供应链服务,确保设计到生产的顺畅衔接。

基于其技术特性,PD3Z284C39-7非常适合应用于需要精确电压基准或过压保护的场景。典型应用包括电源管理单元中的电压钳位与稳压、通信设备接口的ESD保护、汽车电子模块的负载突降保护,以及各类工业控制板的电压参考源。其小型化封装和良好的热性能也使其成为空间受限的便携式电子设备和物联网传感器节点的理想选择。

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