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PD3Z284C4V7-7

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PD3Z284C4V7-7技术参数详情:

PD3Z284C4V7-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI 323封装的高可靠性表面贴装齐纳二极管。该器件基于成熟的平面硅工艺制造,其核心设计旨在提供精确且稳定的电压箝位功能。其4.7V的标称齐纳电压(Vz)±6%的严格容差,确保了在宽温度范围和动态工作条件下输出电压的稳定性和可预测性,这对于需要精密电压参考或保护的电路至关重要。

该二极管具备优异的电气特性,其最大动态阻抗(Zzt)低至80 Ohms,这意味着在齐纳击穿区工作时,电压随电流的变化更小,稳压性能更为出色。同时,其反向漏电流极低,在2V反向电压下仅为3A,有助于降低待机功耗并提升系统效率。正向导通电压(Vf)在100mA电流下典型值为1.1V,展现了良好的单向导电特性。器件额定最大功耗为500mW,结合其紧凑的封装,提供了出色的功率密度。

在接口与参数方面,DIODES代理可提供全面的技术支持。PD3Z284C4V7-7采用标准的表面贴装方式,便于自动化生产。其宽泛的工作温度范围覆盖-65°C至150°C,使其能够适应工业控制、汽车电子及消费类产品中常见的严苛环境。PowerDI 323封装不仅优化了热性能,有助于散热,其小巧的尺寸也节省了宝贵的PCB空间。

该器件非常适合应用于需要电压稳压、瞬态电压抑制或作为简单电压基准的场合。典型应用包括电源管理模块中的次级侧箝位保护数字I/O口的ESD及过压保护低功耗微控制器系统的电压参考,以及各类便携式设备、通信模块和汽车电子子系统中的保护电路。其高可靠性和稳定的性能使其成为工程师在设计稳健电路时的优选元件。

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