Diodes（Zetex）中国代理商联接渠道
强大的Diodes芯片现货交付能力，助您成功
SBG1635CT-T-F是Diodes Incorporated推出的一款采用DPak（TO-263-3）表面贴装封装的双肖特基二极管阵列。该器件采用1对共阴极配置，将两个独立的肖特基整流二极管集成于单一封装内，这种架构优化了PCB布局空间，简化了电路设计，特别适用于需要紧凑布局和高电流处理能力的电源路径。
其核心特性在于采用了肖特基势垒技术，实现了极低的正向压降，典型值仅为550mV @ 8A。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。同时，器件具备快速恢复特性（恢复时间≤500ns），能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和振铃，减少电磁干扰（EMI），确保开关电源等应用中的稳定与可靠运行。其反向漏电流在35V反向电压下典型值仅为1mA，体现了良好的反向阻断性能。
在电气参数方面，Diodes Incorporated为每个二极管定义了高达16A的平均整流电流（Io）和35V的最大直流反向电压（Vr），提供了充足的电流与电压裕量。宽泛的结温工作范围（-65°C 至 125°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品的技术支持和库存信息。其DPak封装提供了优异的散热性能，通过裸露的金属焊盘可将芯片产生的热量高效传导至PCB铜箔，满足高功率密度应用的热管理需求。
基于其高电流能力、低损耗和快速开关特性，SBG1635CT-T-F非常适合用作开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流、DC-DC转换器的续流或反向极性保护二极管。它也常见于电机驱动、逆变器以及各类需要高效能整流解决方案的工业与汽车电子系统中，是实现高效率、高可靠性电源管理的优选分立器件。
