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UDZ4V7B-7

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UDZ4V7B-7技术参数详情:

UDZ4V7B-7是一款由Diodes Incorporated制造的单路齐纳二极管,采用紧凑的SOD-323表面贴装封装。该器件基于成熟的平面硅工艺构建,其核心是一个精确掺杂的PN结,能够在反向击穿区域提供高度稳定的电压基准。其设计重点在于实现低动态阻抗高电压精度的平衡,确保在规定的电流范围内,其箝位电压保持稳定,从而为敏感电路提供可靠的过压保护或电压参考。

该器件的一个显著特点是其±2%的严格电压容差,标称齐纳电压为4.7V。这一精度使其非常适用于需要精确电压阈值或参考点的应用。其最大功耗为200mW,在1V反向电压下的典型反向漏电流仅为2A,体现了良好的静态特性。此外,其最大齐纳阻抗为100欧姆,这意味着在击穿区工作时,电压随电流的变化较小,稳定性高。其工作温度范围覆盖-65°C至150°C,确保了在严苛环境下的可靠性。

在接口与参数方面,UDZ4V7B-7采用标准的双引脚SOD-323封装,便于自动化贴装并节省电路板空间。其电气参数,如精确的Vz值、低漏电流和宽温工作范围,使其能够无缝集成到各种模拟和数字电路中。对于需要稳定供应渠道的开发者,可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

该芯片典型的应用场景包括便携式电子设备的电源轨保护、微控制器I/O口的电压箝位、以及作为ADC参考或低功耗稳压电路中的基准电压源。其小尺寸和高精度特性,使其在空间受限且对电压稳定性有要求的设计中,如物联网传感器模块、可穿戴设备和精密电源管理单元中,成为理想的选择。

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