VN10LPSTOB

VN10LPSTOB是Diodes Incorporated推出的一款采用经典E-Line（TO-92兼容）通孔封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在提供可靠的电压控制和开关性能。其栅极结构经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现有效的沟道导通，这对于简化驱动电路设计、降低系统整体功耗具有积极意义。

该器件的一个显著特点是其60V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够稳健地工作在多种低压至中压的功率切换场景中，为后级电路提供有效的保护裕量。同时，其最大连续漏极电流（Id）为270mA，适合驱动中小功率的负载，如继电器线圈、小型电机、LED灯组或作为信号切换开关。在驱动方面，仅需5V至10V的栅源电压（Vgs）即可使其进入低导通电阻状态，最大值在10V驱动下为5欧姆，这直接降低了导通损耗，提升了能效。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑芯片直接驱动，无需复杂的电平转换电路。

在电气参数方面，VN10LPSTOB展现出良好的动态特性。其输入电容（Ciss）最大值仅为60pF，较小的栅极电荷需求意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于需要较高频率操作的开关应用尤为重要。器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合625mW的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的稳定性和长寿命。值得注意的是，该器件目前处于停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，用户可通过正规的DIODES授权代理渠道获取最新的产品信息和技术支持。

得益于其紧凑的TO-92兼容封装和均衡的性能参数，VN10LPSTOB非常适用于空间受限且对成本敏感的应用领域。典型的应用场景包括消费电子产品的电源管理模块、便携式设备中的负载开关、电池供电系统的功率分配，以及工业控制中的低功率执行器驱动。其通孔封装形式也使其在需要高可靠性和便于手工焊接的样板制作、教育实验或某些特定工业模块中仍有一席之地。

• 型号:VN10LPSTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3，成型引线
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