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ZMM5238B-7

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ZMM5238B-7技术参数详情:

ZMM5238B-7是Diodes Incorporated推出的一款表面贴装齐纳二极管,采用经典的MINI-MELF(DO-213AC,SOD-80)封装。该器件基于成熟的平面硅工艺制造,其核心是一个经过精确掺杂的PN结,能够在反向击穿区提供一个高度稳定的基准电压。这种架构确保了在规定的电流和温度范围内,其齐纳电压具有出色的可重复性和可靠性,为电路设计提供了一个坚实的电压参考或箝位基础。

该器件的标称齐纳电压为8.7V,并提供了±5%的严格容差,这意味着在测试电流下,其实际击穿电压被精确控制在8.265V至9.135V之间。其最大动态阻抗(Zzt)为8欧姆,这一参数反映了电压随电流变化的稳定性,较低的阻抗值意味着在正常工作电流范围内,电压波动更小,性能更为优异。其反向漏电流在6.5V反向电压下典型值仅为3A,体现了高品质的结特性。同时,其正向导通电压在200mA电流下约为1.5V,与常规硅二极管特性一致。

在电气规格方面,ZMM5238B-7的最大功耗为500mW,这使其能够应对中等功率的稳压或瞬态抑制需求。其宽广的工作温度范围覆盖了-65°C至175°C,使其能够适应工业、汽车乃至更为严苛环境下的应用。表面贴装的MINI-MELF封装不仅节省了PCB空间,其圆柱形的玻璃体结构也具有良好的机械强度和热循环耐受性。对于需要稳定电压基准、过压保护或信号电平箝位的场合,这款器件是一个经过验证的可靠选择。设计人员可以通过DIODES中国代理获取详细的技术资料、样品以及供应链支持,以加速产品开发进程。

凭借其稳定的8.7V基准、紧凑的封装和宽温工作能力,该器件常被应用于电源管理模块中的次级侧稳压、作为电压参考源为模拟或数字电路提供稳定偏置、以及在通信端口或数据线路上进行ESD保护和电压箝位。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设计的维护、备件供应或对成本及可靠性有特定要求的应用中,它依然是一个值得考虑的高性价比解决方案。

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