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ZMM5262B-7

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ZMM5262B-7技术参数详情:

ZMM5262B-7是一款由Diodes Incorporated设计生产的表面贴装型齐纳二极管,采用经典的PN结雪崩击穿原理工作,在反向偏置条件下提供精确的电压箝位功能。其核心架构基于稳定的半导体工艺,能够在指定的51V齐纳电压附近维持一个低动态阻抗的稳压区域,确保在负载或输入电压变化时,其两端的电压保持相对恒定,为后级电路提供可靠的电压参考或保护。

该器件具备多项关键特性以满足严苛的工业应用需求。其标称齐纳电压为51V,并提供了±5%的严格容差,这意味着在批量应用中能保证良好的一致性,简化了电路设计中的裕量考量。其最大功率耗散为500mW,结合低至125欧姆的最大齐纳阻抗(Zzt),使其在正常工作区域内能够有效地吸收瞬态能量,同时维持稳定的输出电压。其反向泄漏电流在39V反向电压下典型值仅为100nA,体现了出色的反向阻断特性,有助于降低系统待机功耗。

在电气参数方面,ZMM5262B-7的正向压降在200mA正向电流下为1.5V,这一参数对于需要考虑双向瞬态保护或偶尔正向导通的电路设计具有参考价值。其宽泛的工作温度范围覆盖-65°C至175°C,使其能够适应从工业控制到汽车电子等恶劣环境下的稳定运行。器件采用DO-213AC(Mini-MELF, SOD-80)封装,这是一种小尺寸的圆柱形表面贴装封装,具有良好的抗机械应力和热循环性能,适合高密度PCB布局。

凭借其精确的稳压能力、宽温工作范围和紧凑的封装,ZMM5262B-7非常适合用于需要51V基准电压源的电路、作为过压保护元件置于敏感IC的电源输入端,或用于电平移位和电压箝位电路。常见应用场景包括工业电源模块、通信设备、汽车电子控制单元(ECU)的辅助电源保护以及各类测试测量仪器。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过正规的DIODES一级代理渠道进行采购咨询,以获取原厂技术支持与供货保障。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中选择时需评估替代方案或库存可用性。

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