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ZTX956STOB

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ZTX956STOB技术参数详情:

ZTX956STOB是Diodes Incorporated推出的一款采用E-Line封装的高性能PNP双极性结型晶体管。该器件采用成熟的硅平面工艺制造,其核心架构旨在实现高击穿电压与良好电流处理能力的平衡。内部结构经过优化,集电极-基极结的设计使其能够承受高达200V的反向电压,同时维持较低的饱和压降,这使其在开关和线性放大应用中均能表现出稳定的电气特性。

该晶体管的关键功能特性包括其200V的集电极-发射极击穿电压2A的连续集电极电流能力,这为其在高压侧开关或驱动电路中提供了可靠的工作余量。其饱和压降在400mA基极电流和2A集电极电流条件下典型值仅为250mV,这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗和较高的效率。此外,器件在1A集电极电流和5V集电极-发射极电压下,直流电流增益(hFE)最小值达到100,确保了良好的电流放大能力和驱动效率。其过渡频率为110MHz,能够胜任中频范围内的信号放大应用。

在接口与参数方面,ZTX956STOB采用标准的通孔安装E-Line-3封装,成型引线设计便于手工焊接和自动化组装。其最大功耗为1.58W,结合宽泛的结温工作范围(-55°C至200°C),使其能够适应苛刻的工业环境温度波动。极低的集电极截止电流(ICBO最大50nA)有助于提升关断状态下的系统能效和稳定性。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过官方DIODES授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其高压、中电流和良好的开关特性,ZTX956STOB非常适合应用于离线式开关电源的启动电路、电子镇流器、电机驱动控制器中的高压侧开关,以及需要PNP晶体管进行电平转换或驱动的通用工业控制板卡。其稳健的性能参数使其成为工程师在设计高压、高可靠性系统时的一个经典选择。

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