ZVN0124ZSTZ

Diodes Incorporated推出的ZVN0124ZSTZ是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其核心在于利用金属氧化物半导体结构形成电场效应控制沟道，实现了电压控制型开关功能。其设计重点在于在紧凑的封装内实现较高的电压阻断能力与稳定的开关特性，适用于对空间和成本敏感的低功率应用环境。

该MOSFET具备240V的漏源击穿电压(Vdss)，这为其在离线式电源辅助启动、市电整流后高压侧开关或感应负载切换等场景中提供了必要的电压裕量，增强了系统的可靠性。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，配合10V的推荐驱动电压，能够确保在标准逻辑电平或微控制器I/O口驱动下实现充分导通，降低了驱动电路的设计复杂度。在导通状态下，其导通电阻(Rds(on))在250mA电流和10V Vgs条件下最大值为16欧姆，这对于其额定160mA的连续漏极电流而言，意味着较低的导通损耗，有助于提升整体能效。

在动态特性方面，ZVN0124ZSTZ的输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为85pF，较小的输入电容有助于减少开关过程中的栅极充电时间，从而支持相对较高的开关频率，并减轻对驱动电流的需求。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，这种封装形式成熟可靠，便于在原型验证或小批量生产中进行手工焊接与测试，同时也兼容标准的PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理渠道获取该产品的详细资料与库存信息。

综合其电气参数与物理特性，这款MOSFET主要定位于小信号切换、低功率开关及驱动接口应用。其典型应用场景包括电子继电器替代、低功率开关电源中的高压侧启动或缓冲电路、电话线路接口保护、以及作为光电耦合器或隔离器的输出级驱动元件。其较高的电压额定值与适中的电流能力，使其非常适合在需要隔离高压与低压控制信号的场合中，作为经济高效的解决方案。

• 制造商产品型号：ZVN0124ZSTZ
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 240V 160MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：240V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：160mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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