ZVN0545A

Diodes Incorporated推出的ZVN0545A是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立功率器件。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在硅衬底上构建了金属氧化物半导体结构，实现了通过栅极电压控制漏源极间沟道导通与关断的机制。这种设计确保了器件在高压环境下具备稳定的开关特性与可靠的隔离性能，为各类中压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的一个显著特点是其高达450V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正(PFC)电路等场合中常见的电压应力。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，配合10V的典型驱动电压，意味着它能够与标准的逻辑电平或微控制器GPIO端口良好兼容，简化了驱动电路的设计。在导通状态下，其导通电阻(Rds(on))在100mA电流、10V栅极电压下最大为50欧姆，结合90mA的连续漏极电流(Id)能力，使其在小功率信号切换或作为高压侧开关时能有效控制导通损耗。

在动态特性方面，ZVN0545A的输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为70pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关速度并降低驱动电路的功耗。其栅源电压可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。器件采用经典的TO-92-3通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊安装，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功耗为700mW。

凭借其高压耐受、逻辑电平驱动以及紧凑的封装，ZVN0545A非常适合应用于小功率离线式开关电源的启动电路、电子镇流器、继电器或接触器替代、以及各种需要高压小电流切换的工业控制和消费电子领域。对于需要可靠货源和技术支持的国内设计者，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品的完整数据手册、样品以及采购服务。

• 型号:ZVN0545A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 90MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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