ZVN0545ASTZ

ZVN0545ASTZ 是一款由 Diodes Incorporated 设计生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件采用成熟的平面硅栅工艺制造，其核心架构基于垂直导电结构，在硅衬底上通过精确的掺杂和氧化层生长工艺，形成了具有高击穿电压和稳定开关特性的沟道。这种设计确保了在高压环境下，载流子能够在栅极电压的控制下高效、可靠地在源极和漏极之间导通。

该 MOSFET 的显著特性体现在其高压耐受能力和紧凑的封装上。450V 的漏源击穿电压使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正电路以及荧光灯镇流器中常见的电压应力。同时，其导通电阻在 10V 栅极驱动、100mA 漏极电流条件下典型值为 50 欧姆，结合仅70pF 的输入电容，共同实现了较快的开关速度和较低的开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。其栅极阈值电压最大值为 3V，且支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了宽裕且安全的驱动设计窗口。

在电气参数方面，ZVN0545ASTZ 在 25°C 环境温度下的连续漏极电流额定值为 90mA，最大功耗为 700mW。其工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。器件采用经典的 E-Line（TO-92 兼容）通孔封装，这种封装形式不仅便于手工焊接和原型制作，也因其广泛的应用历史和成熟的供应链而备受青睐。对于需要可靠高压小信号开关或驱动的设计，通过正规的DIODES代理商进行采购是保证产品正品与供货稳定的重要途径。

基于其高压、小电流和快速开关的特性，ZVN0545ASTZ 非常适合应用于需要高压侧开关或信号隔离的场合。典型应用包括作为离线式开关电源或 LED 驱动电源中的启动电路开关、电子镇流器中的高压切换元件，以及测试测量设备、工业控制板卡中用于信号选通或保护的高压接口电路。其 TO-92 兼容封装也使其成为对空间和成本敏感，同时又要求高压性能的消费类电子产品或辅助电源模块中的理想选择。

• 型号:ZVN0545ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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