ZVN0545GTA

Diodes Incorporated推出的ZVN0545GTA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺制造，其核心架构在紧凑的封装内实现了高耐压与低栅极电荷的平衡。其栅极氧化层经过优化设计，确保了在10V驱动电压下即可获得较低的导通电阻，同时提供了坚固的栅极保护，栅源电压可承受高达±20V的冲击，这增强了其在复杂开关环境中的鲁棒性。

在功能特性上，ZVN0545GTA的突出优势在于其450V的高漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正(PFC)电路等场合中常见的电压应力。尽管其连续漏极电流(Id)标称为140mA，但其设计重点在于高压下的开关与控制能力，而非大电流导通。其导通电阻(Rds(on))在100mA电流、10V栅极驱动下典型值为50欧姆，结合极低的输入电容(Ciss，最大值70pF @ 25V)，使得该器件具有快速的开关速度和极低的栅极驱动损耗，非常适合于高频开关应用。

该MOSFET采用标准的SOT-223表面贴装封装，具有良好的散热性能和功率处理能力，在环境温度(Ta)下最大功耗可达2W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和全面技术支持的设计项目，选择可靠的DIODES一级代理是获取正品器件和设计资源的重要途径。器件的阈值电压Vgs(th)最大值为3V @ 1mA，提供了明确的导通门槛，便于与低压逻辑电路或微控制器GPIO口直接或通过简单电路进行接口，简化了驱动电路设计。

基于上述技术参数，ZVN0545GTA非常适合应用于需要高压、小电流、快速开关的场合。典型应用包括开关电源中的高压启动电路、辅助电源开关、电子镇流器、LED照明驱动以及工业控制中的高压侧开关。其高耐压特性也使其成为电信设备、安防系统等离线式电源中缓冲电路、钳位电路的理想选择。凭借其紧凑的封装和优异的性能组合，该器件为工程师在高电压、空间受限的应用中提供了一个高效、可靠的解决方案。

• 型号:ZVN0545GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZVN0545GTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。