ZVN1409ASTOA

ZVN1409ASTOA 是 Diodes Incorporated 推出的一款采用 N 沟道增强型 MOSFET 技术的分立半导体器件。该器件构建于成熟的平面型 MOSFET 架构之上，其核心是一个由金属栅极、二氧化硅绝缘层和半导体沟道构成的金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构。这种结构使得栅极与沟道之间通过绝缘层实现电隔离，从而实现了极高的输入阻抗和极低的栅极驱动电流需求，使其能够被微控制器或逻辑电平信号轻松且高效地驱动。

该器件的一个显著特点是其90V 的漏源击穿电压 (Vdss)，这为其在离线式电源、反激式转换器或电机控制等存在电压尖峰的应用中提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其栅源阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.4V，确保了与常见的 3.3V 或 5V 逻辑电路的出色兼容性，能够实现直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计。尽管其连续漏极电流 (Id) 额定值为 10mA，属于小信号范畴，但它在 10V 栅极驱动下，5mA 电流时的导通电阻 (Rds(on)) 典型值较低，这有助于在开关或线性调节应用中减少导通损耗和压降。

在电气参数方面，DIODES代理商 提供的技术资料显示，该器件支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了较强的栅极过压耐受能力。其输入电容 (Ciss) 典型值仅为 6.5pF，这一极低的电容值是其关键优势之一，意味着栅极电荷需求极低，能够实现极高的开关速度，并显著降低驱动电路在高频开关时的功耗，非常适用于需要快速切换的信号路由、模拟开关或高频振荡电路。器件采用经典的 E-Line (TO-92 兼容) 通孔封装，便于在原型设计或对空间要求不极端苛刻的 PCB 上进行手工或波峰焊接，其工作结温范围覆盖 -55°C 至 150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

基于其高耐压、低输入电容和逻辑电平驱动的特性，ZVN1409ASTOA 非常适合应用于特定的细分领域。例如，在通信设备或测试仪器中，可用于高速信号切换或衰减电路；在消费电子产品的辅助电源或待机电路中，作为小功率开关或线性稳压器的调整管；亦可用于传感器信号调理、精密电流源等对开关速度或驱动简便性有要求的模拟电路模块。其参数组合使其成为在特定性能与成本约束下的一个经典选择。

• 型号:ZVN1409ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 90V 10MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:90 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 欧姆 @ 5mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 现在可以订购ZVN1409ASTOA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。