ZVN2120GTA

Diodes Incorporated推出的ZVN2120GTA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面MOS工艺，在紧凑的封装内实现了高压与低导通电阻的良好平衡。该器件采用表面贴装型SOT-223封装，具备优异的散热性能和空间利用率，便于在自动化产线上进行高密度贴装，是现代紧凑型电源和负载开关设计的理想选择。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够稳定工作在高压开关环境中，有效抑制电压尖峰带来的风险。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为320mA，足以驱动多种中小功率负载。其导通特性表现突出，当栅源电压(Vgs)为10V、漏极电流(Id)为250mA时，导通电阻(Rds(on))最大值仅为10欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V @ 1mA，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，无需复杂的电平转换电路即可直接驱动。

在动态特性方面，ZVN2120GTA的输入电容(Ciss)在Vds为25V时最大值为85pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适用于频率较高的PWM应用。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极电压过冲能力。器件的最大功率耗散为2W (Ta)，结合SOT-223封装良好的热性能，能够有效管理工作中产生的热量。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛工业环境及汽车电子应用中的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和全面技术支持的项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅的重要途径。

凭借其高压、低导通电阻及快速开关能力，该器件广泛应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧启动电路、DC-DC转换器中的高压侧开关、电子镇流器、以及工业和消费类电子产品中的负载切换与电机驱动等场景。其稳健的性能和紧凑的封装使其成为工程师在空间受限且要求高效率、高可靠性的高压开关应用中的优选解决方案。

• 型号:ZVN2120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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