ZVN2535ASTOA

Diodes Incorporated推出的ZVN2535ASTOA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件基于成熟的平面MOSFET架构，其核心在于利用金属氧化物半导体结构，通过在栅极施加电压来控制源极与漏极之间导电沟道的形成与关断，从而实现高效的信号开关与功率控制功能。其设计重点在于在高压环境下维持稳定的性能与可靠性。

该MOSFET具备高达350V的漏源击穿电压(Vdss)，这使其能够从容应对工业控制、离线式电源等场合中常见的电压应力。在导通特性方面，当栅源驱动电压(Vgs)达到10V时，器件可在100mA的漏极电流下实现最大35欧姆的导通电阻(Rds(on))，这一参数对于小功率开关应用中的效率至关重要。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性，简化了驱动电路设计。此外，其输入电容(Ciss)在25V条件下最大仅为70pF，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。

ZVN2535ASTOA采用经典的TO-92兼容E-Line通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工或波峰焊安装，具有良好的散热性和机械强度。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境温度变化。器件的最大连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下为90mA，最大功耗为700mW，栅源电压可承受±20V的最大值，为设计提供了充足的安全裕度。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购，以确保产品正宗与供货稳定。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估替代方案或库存可用性。

凭借其高压能力和适中的电流处理水平，这款MOSFET非常适合用于小功率离线式开关电源的初级侧启动电路、电子镇流器、继电器驱动替代以及各种高压小信号切换场合。例如，在AC-DC转换器中，它可用于控制辅助电源的启动或作为缓启动开关；在工业控制板上，可用于安全地切换高压侧信号。其简单的驱动要求和稳健的电压规格，使其成为工程师在需要高压、低电流开关解决方案时的经典选择之一。

• 制造商产品型号：ZVN2535ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：350V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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