ZVN2535ASTOB

ZVN2535ASTOB是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用经典的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于成熟的硅基工艺，在半导体衬底上通过精确的掺杂和氧化层生长，形成了由栅极、源极和漏极构成的三端结构。栅极与沟道之间由一层极薄的二氧化硅绝缘层隔离，这种结构使得器件通过施加于栅极的电压来控制源漏极之间导电沟道的形成与关断，从而实现高效的电子开关功能。

该MOSFET具备350V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够可靠地工作在存在较高电压应力的离线式或高压侧开关电路中。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、100mA漏极电流条件下典型值为35欧姆，对于其电流等级而言，提供了良好的导通特性。器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V（在1mA测试条件下），确保了与标准逻辑电平或微控制器I/O口的良好兼容性，同时其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极过压能力。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为70pF，较小的电容值有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关速度。

在封装与可靠性方面，ZVN2535ASTOB采用了通孔安装的E-Line封装，外形与经典的TO-92封装兼容，便于在实验板或传统PCB上进行手工或波峰焊安装。器件在环境温度（Ta）下的最大连续漏极电流（Id）为90mA，最大功耗为700mW，其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格依然体现了在特定应用领域的价值。对于需要获取此型号或类似替代方案的工程师，可以通过正规的DIODES代理渠道咨询库存或替代产品信息。

凭借其高压、小电流和易于驱动的特性，该器件非常适合应用于对空间和成本敏感的高压小信号开关场合。典型应用包括电子镇流器、离线式开关电源的启动或辅助电路、电话线路接口保护、高压信号切换以及仪器仪表中的高压侧开关。其TO-92兼容的封装形式也使其成为教育、原型设计和维修替换场景中的常见选择。

• 制造商产品型号：ZVN2535ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：350V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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