ZVN3306ASTOA

ZVN3306ASTOA 是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立半导体器件，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，内部结构优化了沟道设计，以实现稳定的开关与放大功能。其栅极采用金属氧化物半导体结构，确保了高输入阻抗和快速的电场控制能力，为低压驱动控制提供了可靠的基础。

在功能特性方面，该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，适用于多种低压至中压场景。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源电压（Vgs）和500mA漏极电流条件下典型值为5欧姆，结合仅2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)），使其能够被常见的逻辑电平（如3.3V或5V）轻松且高效地驱动，降低了驱动电路的设计复杂度。此外，其输入电容（Ciss）最大值仅为35pF，这有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统在高频应用下的响应速度。

从接口与关键参数来看，ZVN3306ASTOA在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为270mA，最大允许栅源电压为±20V，提供了安全的操作窗口。器件的最大功耗为625mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温工作的可靠性。这些参数共同定义了一个适用于小功率信号切换和控制的稳健接口。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

基于其参数特性，该MOSFET非常适合应用于对空间和成本敏感的小功率电子设备中。典型应用场景包括便携式设备的负载开关、低功率DC-DC转换器中的同步整流或开关元件、信号路径的模拟开关，以及各类板载继电器或螺线管的驱动电路。其TO-92兼容的封装形式便于在实验板或成熟产品中进行通孔焊接，尤其适合在消费电子、工业控制模块及汽车电子辅助系统中，执行高效的功率管理与信号控制任务。

• 型号:ZVN3306ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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