ZVN3306ASTZ

Diodes Incorporated推出的ZVN3306ASTZ是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在硅衬底上构建了金属氧化物半导体结构，通过栅极电压控制导电沟道的形成与关断，实现了电压控制型开关功能。这种设计确保了器件在开关速度、输入阻抗和驱动简易性方面的固有优势。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和270mA的连续漏极电流（Id）能力，为低压、小功率应用提供了可靠的电压与电流裕量。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.4V（在1mA测试条件下），结合最大±20V的栅源电压耐受范围，使其能够与多种逻辑电平（如5V、3.3V系统）良好兼容，并具备较强的抗栅极过压能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻Rds(on)典型值较低，在500mA电流下最大为5欧姆，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。

在动态特性方面，DIODES一级代理提供的技术资料显示，ZVN3306ASTZ的输入电容Ciss在18V Vds条件下最大仅为35pF，较小的栅极电荷需求意味着其开关速度快，对驱动电路的电流要求低，有利于简化驱动设计并降低开关损耗。器件额定功耗为625mW（环境温度Ta下），并支持宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了其在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

综合其电气参数与封装特性，ZVN3306ASTZ非常适合用于需要高效、快速开关动作的低功率场合。典型应用包括各类低侧开关、负载切换、信号路由、继电器或小型电机驱动器的替代方案，以及电池供电设备中的电源管理模块。其TO-92兼容的封装形式也为原型设计、维修替换及空间受限但需通孔安装的电路板提供了便利。

• 型号:ZVN3306ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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