ZVN3306FTC

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，ZVN3306FTC采用了成熟的平面MOSFET工艺技术。其核心架构基于硅基半导体，通过精确的栅极氧化层与沟道控制，实现了对电子流的有效调制。该器件在紧凑的SOT-23-3封装内集成了完整的功率开关功能，其栅极、漏极和源极三个引脚通过优化布局，有效降低了封装寄生参数，为高频开关应用提供了良好的基础。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和150mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够胜任中小功率的开关与驱动任务。其导通特性尤为突出，在10V栅源驱动电压(Vgs)下，导通电阻(Rds(on))典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在电气参数方面，除了稳健的电压与电流规格，其输入电容(Ciss)最大值仅为35pF，这意味着在开关过程中所需的栅极驱动电荷较少，可以实现快速的开启与关断，有利于高频PWM应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取相关产品与技术资料。

凭借其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，ZVN3306FTC非常适用于空间受限的便携式设备、电池管理系统中的保护电路、小功率DC-DC转换器的同步整流或负载开关、以及信号路径的切换与隔离。它也是驱动继电器、小型电机或LED阵列等感性或容性负载的理想选择，为设计工程师提供了一个高效、经济的功率管理解决方案。

• 型号:ZVN3306FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:35 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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