ZVN3310ASTOA

作为一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率开关器件，ZVN3310ASTOA的核心架构基于成熟的平面MOS工艺。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，其内部结构优化了电荷载流子的迁移路径，以实现高效的开关控制。其栅极采用二氧化硅作为绝缘层，确保了良好的输入阻抗与电压驱动特性，为设计者提供了一个稳定可靠的电压控制型开关解决方案。

在功能表现上，该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss）与200mA的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任中低功率的开关与负载驱动任务。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源电压（Vgs）驱动下，典型值仅为10欧姆（@500mA），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，表明其可与常见的5V或3.3V逻辑电平直接或通过简单电路接口，简化了驱动电路的设计。此外，其输入电容（Ciss）最大值仅为40pF，较小的栅极电荷需求使得开关速度较快，并降低了对驱动电流的要求。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了性能与易用性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较高的抗电压冲击余量。器件在-55°C至150°C的结温（TJ）范围内工作，625mW的最大功耗能力使其能适应较宽的环境温度要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取相关的技术资料与库存信息。这些电气与物理参数共同定义了一个适用于多种切换场景的清晰操作窗口。

基于其电压、电流及封装特性，ZVN3310ASTOA非常适合应用于消费电子、工业控制及汽车电子辅助系统中的低侧开关、信号切换、继电器或小功率电机驱动等场景。例如，在电源管理模块中用作负载开关，或在电池供电设备中控制外围电路的通断以节省能耗。其TO-92兼容封装也为原型设计、维修替换或空间受限的板卡布局提供了便利。

• 制造商产品型号：ZVN3310ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：200mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：40pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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