ZVN3310FTA

ZVN3310FTA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-23-3表面贴装封装，其核心设计旨在提供高达100V的漏源击穿电压（Vdss），同时维持较低的栅极驱动要求和导通电阻，使其成为在有限空间内需要处理中等电压信号的理想选择。

该MOSFET在10V栅源电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。高达±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗栅极过压冲击的鲁棒性。此外，其输入电容（Ciss）较小，有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于一定频率的开关应用。

在电气参数方面，ZVN3310FTA在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为100mA，最大功耗为330mW。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的可靠运行。这些参数共同定义了一个在高压、小电流领域性能均衡的解决方案。对于稳定的供应链和正品保障，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

基于其100V的耐压能力、逻辑电平驱动特性以及SOT-23封装的体积优势，该器件非常适合应用于空间受限的便携式设备、电池管理系统中的保护电路、通信模块的电源切换、工业控制中的信号隔离与驱动，以及各类需要高压小电流开关功能的消费电子和汽车电子辅助系统中，为设计工程师提供了一个高性价比且可靠的半导体开关选项。

• 型号:ZVN3310FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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