ZVN4210ASTOB

ZVN4210ASTOB是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用成熟的平面MOSFET技术制造，其核心架构基于硅基半导体工艺，在单一芯片上集成了栅极、源极和漏极，并通过绝缘的二氧化硅层实现栅极与沟道的有效隔离，确保了稳定的电压控制特性。其E-Line（TO-92兼容）封装形式，为工程师在空间受限或需要通孔安装的传统设计中提供了可靠且经济的解决方案。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）与450mA的连续漏极电流（Id）能力，使其能够在中等电压与电流的开关应用中稳定工作。其栅极驱动特性表现均衡，在10V栅源电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，与标准的5V或3.3V逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或数字逻辑电路直接驱动，简化了外围电路设计。器件的输入电容（Ciss）较小，有利于实现快速的开关切换，提升系统响应速度。

在电气参数方面，ZVN4210ASTOB的栅极可承受±20V的电压，提供了较强的抗栅极过压能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。最大功耗为700mW，设计时需结合散热条件进行考量。对于需要稳定供货与技术支持的用户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取完整的器件资料、样品以及采购支持。

凭借其电压、电流规格及封装特性，这款MOSFET非常适合应用于各类低功率的开关与线性调节场景。典型应用包括直流-直流转换器中的低压侧开关、继电器或小型电机的驱动电路、信号切换与负载开关，以及电池供电设备中的电源管理模块。其TO-92兼容封装使其在消费电子、工业控制板及汽车电子（如车身控制模块）等领域的原型设计和小批量生产中仍具实用价值。

• 型号:ZVN4210ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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