ZVN4210ASTZ

ZVN4210ASTZ 是一款由 Diodes Incorporated 设计制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用经典的 E-Line（TO-92 兼容）通孔封装。该器件基于成熟的平面型 MOSFET 技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关与信号放大。其栅极采用金属氧化物半导体结构，通过施加于栅源极之间的电压来控制导电沟道的形成与载流子浓度，从而实现高效的电流通断控制。这种结构提供了优异的输入阻抗，使得驱动电路设计更为简便，功耗更低。

该 MOSFET 的显著特性在于其平衡的性能参数组合。它具备 100V 的漏源击穿电压 (Vdss)，能够耐受较高的反向电压，为电路提供了宽裕的安全裕度。在导通特性方面，其 导通电阻 (Rds(on)) 在 Vgs=10V、Id=1.5A 条件下最大仅为 1.5 欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率，尤其是在频繁开关或持续导通的场景中。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.4V，典型的逻辑电平兼容驱动电压（5V 或 10V）即可使其充分导通，这使其能够方便地与微控制器、逻辑 IC 等低压数字电路直接接口，无需复杂的电平转换或驱动放大电路，简化了系统设计。此外，其输入电容 (Ciss) 较小，有助于实现快速的开关速度，减少开关过程中的损耗。

在电气接口与参数方面，DIODES芯片代理 提供的规格书详细定义了其工作边界。器件在环境温度 (Ta) 下连续漏极电流 (Id) 额定值为 450mA，最大功耗为 700mW，确保了在常规应用中的稳定运行。其栅源电压 (Vgs) 可承受 ±20V 的范围，增强了栅极驱动的鲁棒性。宽泛的结温工作范围从 -55°C 到 150°C，使其能够适应工业、汽车及消费电子等多种环境下的温度挑战。经典的 TO-92 兼容封装不仅便于手工焊接与原型制作，也兼容自动插件工艺，具有良好的通用性。

基于上述技术特点，ZVN4210ASTZ 非常适合应用于中低功率的开关、线性放大及负载驱动场景。典型应用包括低侧开关、DC-DC 转换器中的功率开关、电机驱动电路中的预驱动或小功率电机控制、继电器或螺线管的驱动替代，以及音频放大器中的输出级。其高压能力和逻辑电平驱动的便利性，使其在电源管理、电池供电设备、工业控制模块及汽车电子辅助系统中都能找到用武之地，是一款兼顾性能、成本与可靠性的通用型功率开关解决方案。

• 型号:ZVN4210ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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