ZVN4306AVSTOA

Diodes Incorporated推出的ZVN4306AVSTOA是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，在硅衬底上构建了金属氧化物半导体场效应晶体管结构，实现了电压控制型开关功能。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于在各类原型板或成品板上进行手工或波峰焊接。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和1.1A的连续漏极电流（Id）能力，为低压至中压范围内的功率开关应用提供了可靠的性能基础。其栅极驱动特性表现出色，在10V的Vgs驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件的阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了与常见逻辑电平（如5V或3.3V）控制信号的兼容性，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，DIODES代理提供的详细规格显示，ZVN4306AVSTOA的输入电容（Ciss）典型值较低，这有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗并提升高频应用下的性能。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其稳定的性能和广泛的应用验证使其在库存允许的情况下，仍是许多经典设计或维护项目的可靠选择。

凭借其均衡的电压、电流处理能力以及快速的开关特性，ZVN4306AVSTOA非常适用于多种中低功率场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥下管、继电器或螺线管的驱动替代方案，以及各类电源管理模块中的功率分配与开关功能。其TO-92兼容封装使其在空间和成本受限，但仍需一定功率处理能力的消费电子、工业控制及汽车电子辅助系统中具有应用价值。

• 型号:ZVN4306AVSTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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