ZVN4310A

ZVN4310A是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用经典的平面硅栅MOS工艺制造。其核心架构基于成熟的垂直DMOS结构，在硅衬底上通过精确的掺杂和氧化层生长工艺，形成了具有低导通电阻和高击穿电压特性的导电沟道。这种结构设计确保了器件在承受高达100V的漏源电压时，依然能保持稳定的电气隔离和可靠的开关性能，同时其紧凑的单元设计有助于实现快速的开关响应。

该器件在功能上表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下典型值仅为500毫欧（@3A），这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，提升系统整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，配合5V至10V的标准逻辑电平驱动电压，使其能够轻松被微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。此外，高达±20V的栅源电压容限为设计提供了额外的鲁棒性保障，增强了抗电压尖峰干扰的能力。

在电气参数方面，ZVN4310A在25°C环境温度下可连续通过900mA的漏极电流，最大功率耗散为850mW。其输入电容（Ciss）在25V偏压下最大值为350pF，较低的栅极电荷需求有助于实现高速开关并降低驱动损耗。器件采用标准的TO-92-3通孔封装，便于在实验板或PCB上进行手工焊接或波峰焊，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应工业级和消费电子等多种严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供应链可靠性的重要途径。

凭借其平衡的性能参数，ZVN4310A非常适合应用于中小功率的开关与线性调节场景。典型应用包括低侧开关、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动电路中的H桥臂、继电器或螺线管驱动，以及LED照明系统的恒流控制模块。其100V的耐压特性使其在24V或48V工业总线系统中游刃有余，而紧凑的TO-92封装则使其在空间受限的消费类电子产品，如适配器、电池管理模块和智能家居控制器中，成为高性价比的解决方案。

• 型号:ZVN4310A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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