ZVN4310ASTOB

Diodes Incorporated推出的ZVN4310ASTOB是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的分立功率器件，其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺。该器件采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，内部结构经过优化，旨在提供可靠的开关性能与功率处理能力。其设计重点在于在中等电压与电流条件下实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升系统效率至关重要。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达100V，确保了其在多种离线或直流总线应用中的电压裕量。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为900mA，结合最大850mW的功率耗散能力，使其能够胜任中小功率的开关或线性调整任务。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在10V栅源驱动电压（Vgs）和3A漏极电流条件下，最大值仅为500毫欧，这直接关系到导通状态下的功率损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 1mA，且标准驱动电压为5V或10V，表明它能够被常见的逻辑电平或微控制器I/O口轻松驱动，简化了驱动电路设计。

器件的动态特性同样值得关注，其在25V漏源电压下的输入电容（Ciss）最大值为350pF，这有助于实现较快的开关速度，减少开关过渡过程中的损耗。其栅源电压可承受±20V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。该MOSFET的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，使其能够适应苛刻的环境温度条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其100V的耐压、近1A的电流能力以及TO-92兼容的经典封装形式，ZVN4310ASTOB非常适用于一系列空间和成本敏感的应用场景。典型应用包括低功率开关电源中的初级侧开关或同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动电路中的H桥臂，以及各种需要电子开关功能的消费电子产品和工业控制模块。其通孔封装也使其在原型设计、教育实验或对散热有特定要求的板卡设计中继续保持实用价值。

• 制造商产品型号：ZVN4310ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 900MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：900mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：850mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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