ZVN4424A

作为一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，ZVN4424A采用了成熟的平面MOSFET技术架构。其核心基于金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过在硅衬底上形成栅极氧化层和金属栅极结构来实现电压控制。该器件设计旨在提供高效的开关控制与信号放大功能，其结构优化了载流子沟道的导通特性，确保了在宽泛电压范围内的稳定性能。

该器件具备多项突出的电气特性。高达240V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对中高压应用环境，提供可靠的隔离与耐压能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、500mA Id条件下典型值为5.5欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，极低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大1.8V）意味着它能够与多种低压逻辑电路（如微控制器GPIO口）直接兼容，简化了驱动电路设计。其栅极可承受±40V的电压，提供了较强的抗干扰能力。

在接口与参数方面，ZVN4424A采用经典的TO-92-3直插封装，便于在实验板或PCB上进行通孔焊接。它在25°C环境温度下可连续通过260mA的漏极电流，最大功耗为750mW。其输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为200pF，结合适中的栅极电荷，有助于实现较快的开关速度，减少开关过渡过程中的损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在苛刻工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的批量项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的关键。

凭借其性能组合，ZVN4424A非常适合多种应用场景。在电源管理领域，常被用于中小功率开关电源的初级侧开关、DC-DC转换器中的负载开关或OR-ing电路。在工业控制与自动化中，它可用于继电器驱动、电磁阀控制、小型电机驱动以及PLC模块的接口电路。此外，在消费电子、电池管理系统的保护电路、LED驱动以及各类需要高压、小电流精密开关控制的场合，它都是一个高性价比的可靠选择。

• 型号:ZVN4424A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 现在可以订购ZVN4424A，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。