ZVN4424ASTZ

ZVN4424ASTZ是Diodes Incorporated推出的一款采用E-Line（TO-92兼容）封装的N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心在于优化的硅片设计和制造工艺，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的良好平衡。其结构确保了在高压环境下稳定可靠的开关与放大性能，同时兼顾了成本效益，适用于对空间和预算均有要求的应用。

该MOSFET的显著特性是其240V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对离线式电源、功率因数校正（PFC）电路等场合中的高压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动下典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。此外，器件具备±40V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，提供了更强的抗栅极噪声干扰能力和驱动设计灵活性。其输入电容（Ciss）较小，有利于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

在电气参数方面，DIODES一级代理提供的规格书显示，ZVN4424ASTZ在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为260mA，最大功耗为750mW。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，结合2.5V（最小）至10V（最大）的推荐驱动电压范围，意味着该器件能够与标准的3.3V或5V逻辑电平微控制器轻松接口，简化了驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。

得益于其高压、低功耗和易于驱动的特性，ZVN4424ASTZ非常适合用于小功率开关电源的初级侧开关、电子镇流器、电机驱动辅助电路以及各种继电器和电磁阀的驱动。其经典的TO-92兼容封装形式，为工程师在原型设计或小批量生产中提供了熟悉的通孔安装选项，便于在实验板或PCB上进行快速验证与部署，是中小功率高压开关应用的可靠且经济的选择。

• 型号:ZVN4424ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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