ZVN4424GTA

ZVN4424GTA是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在硅片设计和工艺上进行了优化，旨在实现高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构基于成熟的MOSFET原理，通过精密的沟道控制和栅极氧化层设计，确保了在高压环境下稳定可靠的开关与放大功能，同时内部结构也有效降低了寄生电容，有利于提升高频开关性能。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达240V，使其能够从容应对工业控制、离线式电源等场合中常见的电压应力。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为500mA，足以驱动中小功率负载。其栅极驱动特性优异，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.8V，且在10V栅源电压下即可获得较低的导通电阻(Rds(on))，典型值远低于数据手册中5.5欧姆@500mA的最大值，这意味着它既能与低电压逻辑电路（如3.3V或5V MCU）良好兼容，又能有效降低导通损耗，提升整体能效。

在接口与关键参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，ZVN4424GTA的栅极允许承受高达±40V的电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其输入电容(Ciss)在25V漏源电压下最大值为200pF，属于较低水平，有助于减少开关过程中的驱动损耗并提升开关速度。器件的最大功耗为2.5W（Ta=25°C），结合SOT-223封装良好的散热特性，使其能在一定功率范围内稳定工作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

基于其240V耐压、500mA电流能力、逻辑电平驱动以及SOT-223封装的易用性，ZVN4424GTA非常适合于一系列中压开关与线性应用场景。典型应用包括AC-DC开关电源中的次级侧同步整流、辅助电源开关，工业自动化设备中的继电器、螺线管或小型电机驱动，以及消费电子产品的电源管理、负载开关和电池保护电路。其高性价比和可靠的性能使其成为工程师在设计中寻求高效、紧凑高压开关解决方案时的理想选择之一。

• 型号:ZVN4424GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZVN4424GTA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。