ZVN4424GTC

ZVN4424GTC是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造。其核心架构基于硅基半导体工艺，通过优化栅极氧化层和沟道设计，实现了在高压条件下良好的导通与关断特性。该器件内部集成了体二极管，为感性负载开关应用提供了必要的续流路径，增强了系统的可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其240V的漏源击穿电压(Vdss)与500mA的连续漏极电流(Id)能力，使其能够在中小功率的离线式或高压侧开关应用中稳定工作。其栅极驱动要求较低，10V的Vgs电压下即可获得5.5欧姆的典型导通电阻(Rds(on))，这有助于降低导通损耗，提升整体能效。同时，其阈值电压(Vgs(th))最大值为1.8V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围设计。

在电气参数方面，该器件展现了稳健的性能。栅源电压(Vgs)可承受±40V的峰值，增强了其在电压瞬变环境下的耐用性。其输入电容(Ciss)典型值较低，有助于实现快速的开关速度，减少开关过渡期间的损耗。器件采用热性能优异的SOT-223表面贴装封装，在25°C环境温度下最大功耗为2.5W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻工业环境下的适用性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关技术资料与供货信息。

基于其高压、中电流和逻辑电平驱动的特点，ZVN4424GTC非常适合用于AC-DC电源的次级侧整流或同步整流、离线式开关电源的启动电路、工业控制板上的高压侧开关、以及电池管理系统(BMS)中的保护开关等场景。其紧凑的SOT-223封装也使其成为空间受限的消费电子和便携式设备中功率管理部分的理想选择。

• 型号:ZVN4424GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购ZVN4424GTC，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。