ZVN4525E6TA

作为一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，ZVN4525E6TA采用了先进的平面MOSFET工艺技术，其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与信号放大。该器件内部集成了一个高性能的MOSFET单元，通过优化的栅极氧化层和沟道设计，在确保高击穿电压的同时，有效控制了导通电阻与寄生电容，为紧凑型高压应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达250V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对离线式开关电源、LED驱动及工业控制中常见的母线电压波动。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值为1.8V @ 1mA，这意味着它能够与低电压逻辑电路（如3.3V或5V的MCU）直接兼容，简化了驱动电路设计。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为3.65nC，输入电容（Ciss）最大值为72pF，这些低电荷特性显著降低了开关过程中的损耗，提升了高频开关应用的效率。

在接口与关键参数方面，该器件采用标准的SOT-23-6表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下为230mA，足以驱动中小功率负载。在10V栅源电压驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达1.1W的功耗能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

基于其高压、低栅极电荷和逻辑电平驱动的特点，ZVN4525E6TA非常适合应用于需要高效功率转换和信号切换的领域。典型应用包括AC-DC转换器中的初级侧启动或辅助电源开关、高压LED照明驱动电路、电子镇流器以及工业自动化设备中的信号隔离与切换模块。其小巧的封装和优异的性能，使其成为空间受限且对效率有要求的高压便携式或嵌入式设备的理想选择。

• 型号:ZVN4525E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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