ZVN4525E6TC

Diodes Incorporated推出的ZVN4525E6TC是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23-6表面贴装封装，其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，旨在提供高效的开关控制与信号调制能力。其内部结构经过优化，在确保高耐压的同时，有效控制了寄生参数，为高密度PCB设计提供了可靠的解决方案。

该MOSFET具备250V的高漏源击穿电压(Vdss)，使其能够稳定工作在要求较高电压隔离的电路中。其栅极阈值电压(Vgs(th))典型值较低，最大值仅为1.8V @ 1mA，结合2.4V至10V的驱动电压范围，意味着它能够与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）良好兼容，实现便捷的驱动与控制。在10V栅源电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为8.5欧姆@500mA，这有助于在导通状态下降低功耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷(Qg)最大值低至3.65nC @ 10V，输入电容(Ciss)最大值为72pF @ 25V，这些低电荷特性显著减少了开关过程中的损耗，提升了高频开关性能。

在电气参数方面，ZVN4525E6TC在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)额定值为230mA，最大功率耗散为1.1W。其栅源电压可承受±40V的最大值，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛工业环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取相关技术支持和供货信息。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于功率密度要求较高的场合。典型应用包括低功率开关电源中的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制电路中的预驱动级，以及各类需要高压小电流切换的工业控制和消费电子设备。其SOT-23-6封装形式尤其适合空间受限的便携式设备和模块化设计。

• 型号:ZVN4525E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 230MA SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
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